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IXTA 110N055P IXTP 110N055P
IXTQ 110N055P
250
Fig. 7. Input Adm ittance
50
Fig. 8. Trans conductance
225
200
T J = -40 o C
25 o C
45
40
175
150
125
100
75
50
25
0
150 o C
35
30
25
20
15
10
5
0
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
50
100
150
200
250
300
300
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
9
V DS = 22.5V
250
200
150
100
8
7
6
5
4
3
I D = 55A
I G = 10m A
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1 1.2 1.4
V S D - V olts
1.6
1.8
2
0
10
20
30 40 50
Q G - nanoCoulombs
60
70
80
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. For w ard-Bias
Safe Ope rating Are a
C is s
100
R DS (on) Lim it
25μs
100μs
1000
C os s
10
1m s
10m s
100
f = 1MH z
C rs s
1
T J = 175 o C
T C = 25 o C
DC
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
1
10
V D S - V olts
100
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